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J-GLOBAL ID：201502208012780648   整理番号：15A1057961

電界放出顕微鏡と走査プローブ顕微鏡による電子放出チップのナノスケール特性評価

Nanoscale characterization of an electron emitting tip by field emission microscopy and scanning probe microscopy

著者 (3件)： WATANABE Norimichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Nanomaterials Res. Inst., 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  TANAKA Miyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Nanomaterials Res. Inst., 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  SHIMIZU Tetsuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Nanomaterials Res. Inst., 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 5  ページ： 051809-051809-4  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky電子エミッタは電子顕微鏡に広く使われている。Schottky電子エミッタの評価において,一般に,電界放出顕微鏡(FEM)を用いた放出パターンとして電子放出チップ上の仕事関数の分布が見られる。しかしながら,新しい電子エミッタの開発にとって,電子放出チップ上の各結晶面内のナノ構造と仕事関数の局所分布を観測することは不可能である。したがって,著者らは,高空間分解能を持つ走査プローブ顕微鏡(SPM)を用いて電子放出チップのナノ構造を測定することを試みた。SPMを用いて,多結晶タングステン電子放出チップの結晶粒界と,単結晶タングステン<111>電子放出チップの各結晶面を観測することに成功した。さらに,FEMにより得られた放出パターンと,単結晶タングステン<111>電子放出チップにおいてSPMを用いて観測されたトポグラフィーは,うまく相関していた。ゆえに,SPMは,電子放出チップの評価のための有用なツールであることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電界放出顕微鏡 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  電子放出 ,  *規模 ,  *キャラクタリゼーション ,  *電子放出材料 ,  仕事関数 ,  ナノ構造 ,  タングステン ,  結晶粒界 ,  結晶面 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： 走査プローブ顕微鏡 ,  *ナノスケール ,  *特性評価

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界放出顕微鏡 ,  走査プローブ顕微鏡 ,  電子放出 ,  ナノスケール ,  特性評価