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J-GLOBAL ID：201502208349131773   整理番号：15A0996461

Siにおけるレーザ誘起表面下改質の結晶構造

Crystal structure of laser-induced subsurface modifications in Si

著者 (8件)： VERBURG P. C. (Univ. of Twente, Chair of Applied Laser Technol., Fac. of Engineering Technol., P.O. Box 217, 7500 AE, Enschede, NLD) ,  SMILLIE L. A. (The Australian National Univ., Res. School of Physics and Engineering, 2601, Acton, ACT, AUS) ,  ROEMER G. R. B. E. (Univ. of Twente, Chair of Applied Laser Technol., Fac. of Engineering Technol., P.O. Box 217, 7500 AE, Enschede, NLD) ,  HABERL B. (The Australian National Univ., Res. School of Physics and Engineering, 2601, Acton, ACT, AUS) ,  HABERL B. (Oak Ridge National Lab., Chemical and Engineering Materials Div., 37831, Oak Ridge, TN, USA) ,  BRADBY J. E. (The Australian National Univ., Res. School of Physics and Engineering, 2601, Acton, ACT, AUS) ,  WILLIAMS J. S. (The Australian National Univ., Res. School of Physics and Engineering, 2601, Acton, ACT, AUS) ,  HUIS IN ’T VELD A. J. (Univ. of Twente, Chair of Applied Laser Technol., Fac. of Engineering Technol., P.O. Box 217, 7500 AE, Enschede, NLD)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 120  号： 2  ページ： 683-691  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電材料のレーザ誘起表面下改質はよく知られた技術である。応用は光学部品の生産や選択エッチングを含んでいる。誘電材料に加えて,表面下改質技術は近-中赤外放射を用いることによってシリコンもに応用できる。シリコンにおけるレーザ誘起表面下改質はレーザ誘起表面下分離で,それはウエハを個々のダイに分離する方法である。概念証明が存在する他の応用は導波路形成と抵抗率調整である。しかしながら,シリコンにおける表面下改質の結晶構造に関しては得られる知識が限定されている。本報では,単結晶シリコンウエハにおけるレーザ誘起表面下改質の幾何学的性状と結晶構造を調べた。格子欠陥の発生に加えて,レーザ放射の結果としてアモルファスシリコンとSi-_III/Si-_IIへの転換が生ずることを見出した。Copyright 2015 The Author(s) Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *結晶構造 ,  *格子欠陥 ,  アモルファス化 ,  *レーザ加工 ,  誘電材料 ,  赤外レーザ ,  *ウエハ【IC】 ,  単結晶 ,  *レーザ損傷 ,  *表面改質 ,  パルスレーザ照射
準シソーラス用語： レーザ誘起 ,  *内部改質

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  レーザ誘起 ,  改質 ,  結晶構造