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J-GLOBAL ID：201502208446565834   整理番号：15A0877745

内側のものと異なった外側の接合容量を有する単一の共通ゲート三重ドット単一電子素子の安定性ダイヤグラムと回転式スイッチ動作

Stability diagrams and turnstile operations of single-common-gate triple-dot single-electron devices with outer junction capacitances different from inner ones

著者 (2件)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  IWASA Noriyuki (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 6  ページ： 064001.1-064001.9  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外側の及び内側の接合容量,Ca,およびCbをそれぞれ有する単一の共通ゲート三重ドット単一電子素子をそれぞれ調査した。Ca/Cb比を変えることによって,隣接している安定性領域間の安定性領域と重複領域はそれらの形を変え,次に,その重複領域の周りで,1個の電子の移動シーケンス変化もする。最もおもしろい現象は,ゲート電極軸に沿った安定領域の配置(通常,3つの島でトータルで過剰な電子数に従う)が部分的に反転している点である。すなわち,トータルで過剰な電子数の少ない3つの島の電子配置が,高いゲート電圧域で安定である。そのような状況でも,単一電子移動のシーケンスが変化しても,開閉動作はまだ可能である。充電エネルギーから配置の逆転について説明できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *電子移動 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： スイッチング作用 ,  接合容量 ,  *単一電子デバイス

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• L. J. Geerligs, V. F. Anderegg, P. A. M. Holweg, J. E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, Phys. Rev. Lett. 64, 2691 (1990).
• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).
• K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1628 (1994).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).

タイトルに関連する用語 (6件)： 内側 ,  接合容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子素子 ,  安定性