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J-GLOBAL ID：201502208763941744   整理番号：15A1248713

SiO_xベース単極性メムリスタを用いた二方向電圧バイアス含意演算

Bidirectional voltage biased implication operations using SiO_x based unipolar memristors

著者 (5件)： ZHOU Fei (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  GUCKERT Lauren (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  CHANG Yao-feng (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  SWARTZLANDER Earl E. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  LEE Jack (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 18  ページ： 183501-183501-5  発行年： 2015年11月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *回路部品 ,  *極性 ,  *酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  タンタル化合物 ,  窒化物 ,  *演算 ,  図表 ,  *電気抵抗
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  *単極性 ,  シリコン ,  窒化タンタル ,  *含意演算 ,  真理表 ,  *負荷抵抗

分類 (3件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単極性 ,  メムリスタ ,  二方向 ,  バイアス ,  含意