a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:H

SCHERG-KURMES H.; KOERNER S.; RING S.; KLAUS M.; KORTE L.; RUSKE F.; SCHLATMANN R.; RECH B.; SZYSZKA B.

文献

J-GLOBAL ID：201502208764059603 整理番号：15A1321123

a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In₂O₃:H

High mobility In₂O₃:H as contact layer for a-Si:H/c-Si heterojunction and μc-Si:H thin film solar cells

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資料名：
巻： 594 号： PB ページ： 316-322 発行年： 2015年11月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

水素ドープされたIn₂O₃:H(IOH)膜の結晶化プロセスを,エネルギー分散型X線回折測定を用いて調べた。125°C~150°Cのアニーリング温度で220nm薄膜の結晶化が2分以内に発生し,温度が150°Cの結晶化温度以上に上昇すると結晶相の割合は,もはや変化しなかった。結晶化後に100cm²/Vsを超える最大の電子移動度に到達した。IOH膜をフロントコンタクトとしてアモルファス/結晶シリコンヘテロ接合電池に統合し,In₂O₃:Sn(ITO)フロントコンタクトと比較した。二層の結晶化に必要とされる長いアニーリングプロセスが原因のa-Si:H保護層の劣化によりITO/IOH二層フロントを持つ電池が僅かに低い開回路電圧を示した。一方全ての電池は約20%の総面積効率に達した。IOH膜はまた,μc-Si:H電池の銀の自由バックコンタクトとして実装し,IOHの高い近赤外透過のため,ZnO:Alバックコンタクトよりも高い短絡電流密度を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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太陽電池

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a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In2O3:H

a-Si:H/c-Siヘテロ接合とμc-Si:H薄膜太陽電池におけるコンタクト層としての高移動度In₂O₃:H