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J-GLOBAL ID:201502208794377820   整理番号:15A1172173

シリコン太陽電池のための塩化セシウム自己集合リソグラフィーによる逆ピラミッド構造の作製

Fabrication of inverted pyramid structure by Cesium Chloride self-assembly lithography for silicon solar cell
著者 (10件):
資料名:
巻: 40  ページ: 44-49  発行年: 2015年12月 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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塩化セシウム(CsCl)自己集合技術とシリコン太陽電池の異方性腐食を組み合わせた方法によって,逆ピラミッドを作製した。逆ピラミッドのためにCsClナノ島をリフトオフすることによって,ナノ多孔性マスクを持つTi膜を形成した。次に,アルカリ溶液の異方性腐食によって,ピラミッドを形成した。CsClナノ島の平均直径を400nmから1.5μmに変化させ,アルカリ溶液のエッチング時間を2から8分まで変化させることによって,ピラミッドの平均粒径及びモフォロジーを制御した。逆ピラミッドパターンは,400から1000nmの波長において反射を10%未満に抑制し,この値は平面ウエハよりもはるかに低かった。ピラミッドから作製した太陽電池は,良好な反射防止特性のために,平面太陽電池に比べ,より高い短絡電流密度(Jsc)及び光起電力変換効率(PCE)を示した。太陽電池は,15.25%のPCE,38.35mA/cm2のJsc及び555.7mVの開回路電圧を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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