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J-GLOBAL ID：201502208801420450   整理番号：15A0145815

応力耐性を改善した有機エレクトロニクスのカプセル封止用の無機ナノ積層障壁中への分子層堆積アルミニウムアルコキシド界面の集積

Integration of molecular-layer-deposited aluminum alkoxide interlayers into inorganic nanolaminate barriers for encapsulation of organic electronics with improved stress resistance

著者 (12件)： HOSSBACH Christoph (Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU) ,  NEHM Frederik (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  SINGH Aarti (Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU) ,  KLUMBIES Hannes (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  FISCHER Dustin (Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU) ,  RICHTER Claudia (Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU) ,  SCHROEDER Uwe (Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU) ,  ALBERT Matthias (Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU) ,  MUELLER-MESKAMP Lars (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  LEO Karl (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  MIKOLAJICK Thomas (Nanoelectronics Materials Lab. NaMLab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, DEU) ,  BARTHA Johann W. (Inst. of Semiconductor and Microsystems Technol., Technische Universitaet Dresden, 01187 Dresden, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 1  ページ： 01A119-01A119-9  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムアルコキシド界面を持つAl₂O₃とTiO₂の無機ナノ多層膜から作製した有機エレクトロニクスのカプセル封止用の拡散障壁スタックを原子層堆積(ALD)と分子層堆積(MLD)により堆積させた。MLD工程開発の一部として,約1.7g/cm³の低密度のアルミニウムアルコキシドの堆積を検証した。ALD/MLD拡散障壁スタックは高分子膜(柔軟な障壁基板を創る)又はガラス上の素子の上(薄膜カプセル封止)の何れかに堆積させる必要がある。障壁中の水蒸気透過率(WVTR)を測定するために,素子を電気的Ca試験の水センサとして作用するCa層で置換えた。ガラス基板上の薄膜カプセル封止に適用した障壁スタックでは,高分解能走査電子顕微鏡はMOL中間層を持たない無機ナノ多層膜が脆性で,下のカルシウム腐食で誘起した応力で容易に割れることを示唆した。48nmの障壁多層膜中に各々が12nmの三層のMLD界面を導入すると,応力の問題が軽減され,障壁の亀裂を防いだ。ガラス上の三層MLD中間層構造を用いて,38°C,相対湿度32%で10^-5g/m²/dの低いWVTRを測定した。高分子障壁基板上では,障壁スタック上にCaを蒸着し,空洞ガラスでカプセル封止した。この構成では,腐食カルシウムは膨張と気体放出の空間を持ち,下層の障壁膜に影響を与えない。従って,MLD中間層の数に無関係に,全試料で約3×10^-3g/m²/dのWVTRを測定した。結論として,無機ナノ多層膜中のMLD中間層の導入により,機械的応力に対するALD障壁膜の安定化と保護が実現された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子技術 ,  カプセル封じ ,  *多層膜 ,  アルコラート ,  *化学蒸着 ,  拡散障壁 ,  電子顕微鏡観察 ,  薄膜成長 ,  防止
準シソーラス用語： アルミニウムアルコキシド ,  カプセル封止 ,  *ナノ多層膜 ,  亀裂防止 ,  *原子層堆積 ,  分子層堆積 ,  *有機エレクトロニクス

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (11件)： 応力 ,  耐性 ,  有機エレクトロニクス ,  カプセル封止 ,  障壁 ,  分子 ,  堆積 ,  アルミニウム ,  アルコキシド ,  界面 ,  集積