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J-GLOBAL ID：201502208816606659   整理番号：15A0908525

酸化物系抵抗ランダムアクセスメモリの物理的及び化学的機構

Physical and chemical mechanisms in oxide-based resistance random access memory

著者 (15件)： CHANG Kuan-Chang (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHANG Ting-Chang (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TSAI Tsung-Ming (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  ZHANG Rui (China National Petroleum Corp., Beijing, CHN) ,  HUNG Ya-Chi (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SYU Yong-En (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHANG Yao-Feng (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHEN Min-Chen (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHU Tian-Jian (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Hsin-Lu (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  PAN Chih-Hung (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SHIH Chih-Cheng (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  ZHENG Jin-Cheng (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  SZE Simon M (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SZE Simon M (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:120 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物系抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子の抵抗スイッチング機構に関する筆者らの研究を概説した。物理的及び化学的機構の研究に基づいて,その材料,素子構造,処理方法に重点を置き,最先端の酸化物系RRAMを詳しく展望した。臨界電圧及び一定の反応エネルギー特性を見つけ,それらを用いてRRAM素子の動作のための制御電圧と動作温度を変調でき,材料組成を予測できる。RRAM素子の量子化スイッチング現象を<4Kで実証した。化学的機構の側面では,Coulomb Faraday理論を用いて,RRAMの化学反応方程式を初めて研究した。リセット過程時の化学反応の基礎は一次反応系であることを明確に観測できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  量子化 ,  *反応機構 ,  機構 ,  *酸化ケイ素 ,  グラフェン ,  酸化物 ,  超臨界流体 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  一次反応 ,  温度 ,  臨界電圧 ,  エネルギー ,  反応熱
準シソーラス用語： *RRAM ,  リセット電圧 ,  酸化グラフェン ,  抵抗スイッチング ,  物理的機構 ,  動作温度 ,  反応エネルギー

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  物理 ,  化学的機構