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J-GLOBAL ID：201502208861089036   整理番号：15A0485743

イオンビームスパッタリング堆積を利用した銅箔上の少数層六方晶窒化ほう素の成長制御

Controlled Growth of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride on Copper Foils Using Ion Beam Sputtering Deposition

著者 (7件)： WANG Haolin (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  ZHANG Xingwang ,  MENG Junhua ,  YIN Zhigang ,  LIU Xin ,  ZHAO Yajuan ,  ZHANG Liuqi
資料名： Small  (Small)
巻： 11  号： 13  ページ： 1542-1547  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビームスパッタリング堆積(IBSD)を利用して,銅箔上に高品質な少数層六方晶窒化ほう素(h-BN)を合成した。在来型の化学気相堆積法と比較して,IBSD技術では,制御可能な前駆体を利用することで,制御が非常に容易になった。将来のh-BNの大量生産において,非常に有効な方法であった。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  成長調節 ,  六方晶系 ,  *イオンビームスパッタリング ,  化学蒸着 ,  *銅箔 ,  品質 ,  大量生産 ,  前駆体 ,  スパッタ蒸着 ,  イオンビーム ,  *薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  高品質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビームスパッタリング ,  堆積 ,  銅箔 ,  六方晶窒化ほう素 ,  成長制御