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J-GLOBAL ID:201502208940770270   整理番号:15A0890620

双安定四原子Si量子ドットのトンネリング電流と原子間力に駆動されたスイッチング間の相互作用

Interplay between Switching Driven by the Tunneling Current and Atomic Force of a Bistable Four-Atom Si Quantum Dot
著者 (12件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 4356-4363  発行年: 2015年07月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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室温における原子操作による逐次的な原子毎の集合過程によりSi(111)-7×7表面に四個のバックリング原子からなるシリコン量子ドット(Si4-QD)を作製し,トンネリング電流と原子スケールの力を同時に検出できる走査プローブ顕微鏡を用いてSi4-QDの対称的な双安定スイッチ動作を示した。STMによるトンネル電流はバックリング原子の下向きスイッチングを引き起こし,反対向きの上向きスイッチングはAFMによる力を使用した。電流と力の競合する同時適用により,スイッチング方向は連続可変となった。これらの結果はシリコン技術のさらなる微細化への可能性を示した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
原子間相互作用  ,  電子との衝突・散乱 

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