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J-GLOBAL ID：201502208940770270   整理番号：15A0890620

双安定四原子Si量子ドットのトンネリング電流と原子間力に駆動されたスイッチング間の相互作用

Interplay between Switching Driven by the Tunneling Current and Atomic Force of a Bistable Four-Atom Si Quantum Dot

著者 (12件)： YAMAZAKI Shiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEDA Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUGIMOTO Yoshiaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ABE Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ZOBAC Vladimir (Inst. of Physics, Acad. of Sci. of the Czech Republic, Prague, CZE) ,  POU Pablo (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  RODRIGO Lucia (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  MUTOMBO Pingo (Inst. of Physics, Acad. of Sci. of the Czech Republic, Prague, CZE) ,  PEREZ Ruben (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  JELINEK Pavel (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  JELINEK Pavel (Inst. of Physics, Acad. of Sci. of the Czech Republic, Prague, CZE) ,  MORITA Seizo (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 7  ページ： 4356-4363  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温における原子操作による逐次的な原子毎の集合過程によりSi(111)-7×7表面に四個のバックリング原子からなるシリコン量子ドット(Si₄-QD)を作製し,トンネリング電流と原子スケールの力を同時に検出できる走査プローブ顕微鏡を用いてSi₄-QDの対称的な双安定スイッチ動作を示した。STMによるトンネル電流はバックリング原子の下向きスイッチングを引き起こし,反対向きの上向きスイッチングはAFMによる力を使用した。電流と力の競合する同時適用により,スイッチング方向は連続可変となった。これらの結果はシリコン技術のさらなる微細化への可能性を示した。

シソーラス用語： 結晶方位 ,  操作 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  *原子 ,  *四量体 ,  *スイッチング ,  *量子ドット ,  *双安定性 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  力 ,  ケイ素 ,  原子間力 ,  シリコン(111)
準シソーラス用語： *バックリング ,  AFM【顕微鏡】 ,  Si(111) ,  STM【顕微鏡】 ,  *シリコン量子ドット ,  原子操作

分類 (2件)： 原子間相互作用  (BH04020U) ,  電子との衝突・散乱  (BH04030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 双安定 ,  原子 ,  Si ,  量子ドット ,  トンネリング電流 ,  原子間力 ,  スイッチング ,  相互作用