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J-GLOBAL ID：201502209154862443   整理番号：15A1310731

GaN HEMTを用いた超広帯域電力増幅器の設計と制作

Design and fabrication of ultra-wideband power amplifier based on GaN HEMT

著者 (9件)： CHENG Zhiqun (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  ZHU Dandan (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  YAN Guoguo (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  CHEN Shuai (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  WANG Kai (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  FAN Kaikai (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  LIU Guohua (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  WANG Hui (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi Univ.) ,  GAO Steven (School of Engineering and Digital Arts, Univ. of Kent)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 12  号： 20  ページ： 20150703-20150703 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,3GHzから8GHzの周波数帯域で動作するTGF2023-2-02GaN HEMTを用いた超広帯域電力増幅器の研究について示した。GaN HEMTトランジスタをモデル化し,増幅器の広帯域インピーダンス整合に周波数補償と多重サイドインピーダンス整合法を採用した。それから,広帯域高利得特性を達成するために入力整合回路網に扇型マイクロストリップ線を実装した。測定結果では,増幅器モジュールは3~8GHzの範囲で最小信号利得が9.8dBの時に出力電力が37dBmとなったことを示した。飽和出力電力は,周波数5GHz,Vds=28V,Vgs=-2.75VのDCバイアスの時に38.3dBmとなったことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *広帯域 ,  *HEMT ,  インピーダンス整合 ,  周波数補償 ,  マイクロストリップ線路 ,  電力 ,  モデリング
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  マイクロストリップ線 ,  モデル化 ,  出力電力 ,  *超広帯域

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

引用文献 (15件)：

• [1] J. Lai, J. Luo and L. You: Semicond. Technol. 40 [1] (2015) 44. DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.009
• [2] C. Campbell, C. Lee and V. Williams: IEEE J. Solid-State Circuits 44 (2009) 2640. DOI:10.1109/JSSC.2009.2026824
• [3] G. Mouginot, H. Blanck and M. Le Pipe: IEEE IMS (2010) 1392.
• [4] C. Berrached, D. Bouw and M. Camiade: The 43rd European Microwave Conference (2013) 1395.
• [5] T. Wei: Internet of things technologies [5] (2012) 61.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  広帯域 ,  電力増幅器 ,  設計 ,  制作