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J-GLOBAL ID：201502209207841656   整理番号：15A1045705

CVD法により合成したh-BN多層膜の合成と評価

著者 (5件)： 近藤大雄 (富士通研) ,  林賢二郎 (富士通研) ,  片岡真紗子 (富士通研) ,  岩井大介 (富士通研) ,  佐藤信太郎 (富士通研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14P-2T-2  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  多層膜 ,  *窒化ホウ素 ,  *薄膜成長 ,  エピタクシー ,  金属触媒 ,  スパッタリング ,  化合物半導体 ,  *六方晶窒化ホウ素
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD法 ,  h-BN ,  多層膜 ,  評価