文献

J-GLOBAL ID：201502209261391470   整理番号：15A1310257

エレクトロフォーミング極性に依存するTiN/HfO₂/Ptデバイスのライトワンスリードメニータイムとバイポーラ抵抗スイッチング特性

Write-Once-Read-Many-Times and Bipolar Resistive Switching Characteristics of TiN/HfO₂/Pt Devices Dependent on the Electroforming Polarity

著者 (4件)： LI Yan (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  PAN Xuexue (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  ZHANG Yong (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  CHEN Xinman (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 11  ページ： 1149-1152  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)とライトワンスリードメニータイムメモリ(WORM)が注目されている。それぞれ別のデバイス構造が報告されているが,同じデバイス構造でWORMとユニポーラ/バイポーラ抵抗スイッチング(URS/BRS)を得ることが期待されている。本稿では,これらの現象を界面の役割のアシストによるフィラメントモデルにより説明した。そして,エレクトロフォーミング極性に依存したTiN/HfO₂/PtデバイスによるWORMとBRSを実現した。

シソーラス用語： *スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  *記憶装置 ,  素子構造 ,  電鋳 ,  *酸化ハフニウム ,  極性
準シソーラス用語： *WORM ,  エレクトロフォーミング ,  デバイス構造 ,  *一回書込永久メモリ ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： エレクトロフォーミング ,  極性 ,  TiN ,  HfO2 ,  Pt ,  バイポーラ ,  スイッチング特性