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J-GLOBAL ID：201502209434658337   整理番号：15A1034288

エピタキシャルθNi₂Si/Si(100)界面でのNiSi横方向成長の直接観察

Direct observation of NiSi lateral growth at the epitaxial θ-Ni₂Si/Si(100) interface

著者 (4件)： EL Kousseifi M. (IM2NP, Aix Marseille Universite-CNRS, UMR 7334, Fac. de Saint Jerome, 13397 Marseille, FRA) ,  HOUMMADA K. (IM2NP, Aix Marseille Universite-CNRS, UMR 7334, Fac. de Saint Jerome, 13397 Marseille, FRA) ,  EPICIER T. (MATEIS, Univ. de Lyon, UMR 5510, INSA de Lyon, Bat. B. Pascal, 69621 Villeurbanne Cedex, FRA) ,  MANGELINCK D. (IM2NP, Aix Marseille Universite-CNRS, UMR 7334, Fac. de Saint Jerome, 13397 Marseille, FRA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 99  ページ： 1-6  発行年： 2015年10月15日 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： θ-Ni₂SiおよびSi基板からのNiSi相形成の初期段階が透過電子顕微鏡(TEM)によって研究されている。これらの測定は,θNi₂Si/Si(100)界面での低密度のNiSi粒子の存在を示し,それらの完全な形状の決定を可能にしている。このステージは,エピタキシャルθNi₂Si/Si(100)界面でのNiSiの横方向成長に相当する。これらの粒子の形状は予想されたモデルと一致し,形状はKlingerらによって開発されたモデルから導出された解析的な表示でフィットされた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *ニッケル合金 ,  ケイ素含有合金 ,  金属間化合物 ,  ケイ素 ,  横方向 ,  θ相 ,  ウエハ【IC】 ,  粒子 ,  界面 ,  予測モデル ,  析出物 ,  超LSI
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  横方向成長 ,  ケイ化ニッケル

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  Si ,  界面 ,  横方向成長