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J-GLOBAL ID：201502209509804733   整理番号：15A0768139

シリコンを越えたパワースイッチング応用:SiCとGaNの素子の現状と将来展望

Power-switching applications beyond silicon: Status and future prospects of SiC and GaN devices

著者 (4件)： DIMITRIJEV Sima (Griffith Univ., AUS) ,  HAN Jisheng (Griffith Univ., AUS) ,  MOGHADAM Hamid Amini (Griffith Univ., AUS) ,  AMINBEIDOKHTI Amirhossein (Griffith Univ., AUS)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 40  号： 5  ページ： 399-405  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワースイッチングに応用するSiC,GaN素子の開発を4つの応用要件(高いブロッキング電圧,高電力効率,高スイッチング速度,ノーマリーオフ動作)に関して概説した,ON抵抗,寄生容量,エネルギーギャップ値など素子・材料特性を応用の観点から比較し,論じた。シリコン材料の基本的限界を概説して,SiCを使った市販されているSchottky障壁ダイオードやトランジスタの開発が可能となる材料の優れた点を説明した。さらに,Siの理論限界を越える技術進歩が可能となり,パワーエレクトロニクススイッチの作成コストを大幅に下げるGaNの可能性を分析した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  スイッチ ,  電圧 ,  速度 ,  回路特性 ,  漂遊容量 ,  ケイ素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  HEMT ,  パワーエレクトロニクス ,  *スイッチング素子 ,  電力トランジスタ ,  *パワースイッチ ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  ノーマリーオフ動作 ,  ブロッキング電圧 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  寄生容量

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  パワー ,  スイッチング ,  応用 ,  SiC ,  GaN ,  現状 ,  将来展望