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J-GLOBAL ID:201502209907869349   整理番号:15A1163567

SiウエハのChemo-Mechanical-Grinding(CMG)に関する研究 -第3報:砥石に含まれる塩基の作用の解明と砥石物性値の最適化によるCMGの確立-

Research on Chemo-Mechanical-Grinding (CMG) of Si wafer -3rd report: Behavior of sodium carbonate in CMG wheels and effect of CMG wheel mechanical properties-
著者 (6件):
資料名:
巻: 81  号: 10  ページ: 957-962 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: U0462A  ISSN: 1882-675X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体メモリの重要性は格段に高まっており,大容量化を実現するために,チップ間のスペーサを必要としないSi貫通電極による積層技術TSVとそれに伴うウェハの薄型化が必要となる。それを実現するために,ストレスリリーフ技術が必要で,これまでに砥粒とSiの固相反応を研削工程に取り入れたCMGの開発が進められている。本稿では,Na2CO3を用いずに,同等の効果を提供できる高品位CMG砥石の開発を行った。まずこれまで必要とされてきたNa2CO3の作用について考察し,抗折強度や弾性率などCMG砥石の物性値とケモメカニカル現象との相関を明確にした。またCMG砥石の製造手法に実験計画法L8を導入して,各要因が物性値に及ぼす影響を調査し,CMG砥石の製造手法を確立した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
研削・研摩材  ,  固体デバイス製造技術一般 

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