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J-GLOBAL ID：201502210226607360   整理番号：15A1045282

GaAs半導体中格子歪み分布の核スピンによる観察

著者 (6件)： 西森将志 (新潟大) ,  長谷川広和 (新潟大) ,  佐々木進 (新潟大) ,  渡辺信嗣 (JST-ERATO) ,  平山祥郎 (JST-ERATO) ,  平山祥郎 (東北大 理)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14A-4D-6  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *格子歪 ,  歪分布 ,  核スピン ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *アルミニウム27NMR

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物のNMR  (BM07043Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  格子歪み ,  分布 ,  核スピン ,  観察