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J-GLOBAL ID:201502210259624937   整理番号:15A0859610

分子線エピタクシー成長したAlGaAs/GaAs超格子太陽電池の再結合電流

Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar-cells grown by molecular beam epitaxy
著者 (9件):
資料名:
巻: 425  ページ: 326-329  発行年: 2015年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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pin接合太陽電池の再結合電流の効果を調べた。測定した3種類の特性値:短絡電流,開放電圧と充満因子を使い,素子構造の知見無しに,太陽電池の再結合と拡散電流成分を簡単に評価する方法を開発した。この方法の利点は,その簡単さと,様様なpin接合太陽電池への適用性にある。これをGaAsバルクおよびAlGaAs/GaAs超格子太陽電池に適用した。得られたパラメータは,全体的電流-電圧特性を良く再現する。ダイオード電流は,GaAsバルクと超格子電池では,最大出力電圧における再結合電流で主に支配される。超格子における再結合電流の高い寄与の原因は,AlGaAs障壁とAlGaAs/GaAs界面の品質に由来する。この結果は,良好な結晶品質が太陽電池の効率の増加に重要であることを示唆する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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