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J-GLOBAL ID：201502210263410518   整理番号：15A0772572

高効率を実現するために研磨することによる実際のタンデム太陽電池におけるマイクロ結晶性深さプロファイリングの使用

Use of microcrystallinity depth profiling in an actual tandem silicon solar cell by polishing to achieve high conversion efficiency

著者 (4件)： HISHIDA Mitsuoki (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UENO Hiroyuki (SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  SEKIMOTO Takeyuki (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TERAKAWA Akira (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 5  ページ： 052302.1-052302.5  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化マイクロ結晶シリコン(μc-Si:H)の結晶度(X_c)の正確な評価を行うために,薄膜タンデム太陽電池の電流電圧特性を測定した後で,電極層側面から研磨を行った。研磨角は約1.4°で,μc-Si:Hを水平方向に向けた。研磨することによって,Raman分析によるμc-Si:Hの垂直方向におけるX_cの測定が容易になり,太陽電池の特性をさらに明瞭にする太陽電池の深さ方向におけるX_cの変化を明らかにすることに成功した。さらに,X_cを調節した膜を用いて,i-μc-Si:HのX_cプロファイルを調節した。それにより,厚膜形成プロセスの際に減少しないμc-Si:Hの深さ方向のX_cを制御することができた。その結果,変換効率は,普通の条件下のものと比べて1.8%(0.21ポイント)改善した。本論文において,高効率を得るためのμc-Si:HのX_cプロファイルの指数を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 研磨 ,  *太陽電池 ,  *深さプロフィル ,  *ケイ素 ,  電流電圧特性 ,  Raman分光分析 ,  効率
準シソーラス用語： *タンデム太陽電池 ,  *深さプロファイリング ,  *微結晶シリコン ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (36件)：

• J. Meier, E. Vallat-Sauvain, S. Dubail, U. Kroll, J. Dubail, S. Golay, L. Feitknecht, P. Torres, S. Fay, D. Fischer, and A. Shah, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 66, 73 (2001).
• A. Terakawa, M. Hishida, S. Yata, W. Shinohara, A. Kitahara, H. Yoneda, Y. Aya, I. Yoshida, M. Iseki, and M. Tanaka, Proc. 26th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2011, p. 2362.
• A. Terakawa, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 119, 204 (2013).
• A. Terakawa, H. Murayama, Y. Naruse, H. Katayama, T. Sekimoto, S. Yata, M. Matsumoto, I. Yoshida, M. Hishida, Y. Aya, M. Iseki, M. Taguchi, and M. Tanaka, MRS Proc. 1536, 17 (2013).
• D. Kanematsu, S. Yata, Y. Aya, A. Terakawa, and M. Iseki, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 076501 (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  研磨 ,  タンデム太陽電池 ,  マイクロ結晶 ,  深さプロファイリング