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J-GLOBAL ID：201502210381277741   整理番号：15A1066093

MBEによりSi(111)上で成長させたバッファ厚にばらつきのある薄いAl_0.2Ga_0.8N/GaN及びIn_0.17Al_0.83N/GaNヘテロ構造の比較による構造特性抽出

Comparative Structural Characterization of Thin Al_0.2Ga_0.8N/GaN and In_0.17Al_0.83N/GaN Heterostructures Grown on Si(111), by MBE, with Variation of Buffer Thickness

著者 (5件)： CHOWDHURY Subhra (IIT Kharagpur, Advanced Technol. Dev. Centre, 721302, Kharagpur, IND) ,  BORISOV Boris (SVT Associates Inc., Executive Dr., Eden Prairie, 55344, Minneapolis, MN, USA) ,  CHOW Peter (SVT Associates Inc., Executive Dr., Eden Prairie, 55344, Minneapolis, MN, USA) ,  BISWAS Dhrubes (IIT Kharagpur, Advanced Technol. Dev. Centre, 721302, Kharagpur, IND) ,  BISWAS Dhrubes (IIT Kharagpur, Electronics and Electrical Communication Engineering, 721302, Kharagpur, IND)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 11  ページ： 4144-4153  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,3つの異なるバッファ厚(600,400及び200nm)をもつSi(111)基板上での,薄いAl_0.2Ga_0.8N/GaN及びIn_0.17Al_0.83N/GaNヘテロ構造のプラズマ支援MBEによる成長について報告した。成長条件の限界までの最適化による成長の成功に続いて,高分解能X線回折(HRXRD)によるこれらのヘテロ構造の比較による特性抽出を行った。HRXRDには,逆空間写像(RSM),室温フォトルミネセンス(RT-PL),高解像度透過型電子顕微鏡(HRTEM)などを用いた。異なるバッファ厚の,薄い1.5nm Al_0.2Ga_0.8N/In_0.17Al_0.83N-1.25nm GaN-1.5nm Al_0.2Ga_0.8N/In_0.17Al_0.83Nヘテロ構造の,貫通転位(TD)密度への影響についても調査した。分析結果から,AlGaNベースのサンプルにおいてバッファ厚の減少とともに引張ひずみが増加することが分った。これは,GaNのRT-PLピークの赤方偏移により確認した。格子整合INAlNベースのサンプルにおけるひずみ減少は,結果としてGaNのRT-PLピークの青方偏移をもたらした。これは,このサンプルの結晶品質がAlGaN/GaNのサンプルより良いことを暗示するものであったが,XRD-FWHM及びRSMの結果によりこれを証明した。バッファ厚の増加に伴うTD密度の約1010から108cm^-2への大幅な減少は,結果として厚いバッファ構造の両方にスムーズで薄い活性領域をもたらしたが,格子整合InAlN/GaNベースの厚いバッファは,結果としてTD及びスムーズで顕著な薄い活性領域への影響は小さかった。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  *MBE成長 ,  ケイ素 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  歪 ,  構造特性
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *MBE ,  Si基板 ,  フォトルミネセンス ,  *ヘテロ構造 ,  引張歪 ,  高分解能X線回折

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (9件)： MBE ,  Si ,  成長 ,  バッファ ,  厚 ,  ばらつき ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  特性抽出