文献
J-GLOBAL ID:201502210567172010   整理番号:15A1148860

絶縁体-半導体界面の固有電荷キャリア移動度のマイクロ波を基とする方法による調査 液晶有機半導体による研究

Intrinsic Charge Carrier Mobilities at Insulator-Semiconductor Interfaces Probed by Microwave-based Techniques: Studies with Liquid Crystalline Organic Semiconductors
著者 (8件):
資料名:
巻: 44  号: 10  ページ: 1401-1403 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: S0742A  ISSN: 0366-7022  CODEN: CMLTAG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ペリレンジイミド(PDI)系液晶有機半導体と絶縁ポリマーとの間の界面の固有,局所正孔移動度及び電子移動度を電場誘起時間分解マイクロ波伝導率(FI-TRMC)によって調べた。アルキル及びセミフルオロアルキルテイルをもつPDI液晶はそれぞれ0.2及び0.3cm2V-1s-1の二極性正孔及び電子移動度を示した。対照的に,トリエチレングリコールとセミフルオロアルキルテイルをもつPDIは有意な伝導率を示さない。これは電荷輸送特性に対する側鎖構造の重要な役割を示している。FI-TRMC法はここで液晶半導体材料の界面構造を明らかにするための強力なツールとして有用である。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固-固界面  ,  界面の電気的性質一般  ,  四環以上の炭素縮合多環化合物 
物質索引 (4件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る