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J-GLOBAL ID：201502210662032942   整理番号：15A1187241

積層グラフェン量子ドットにおける測定反作用

Measurement Back-Action in Stacked Graphene Quantum Dots

著者 (6件)： BISCHOFF D. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  EICH M. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  ZILBERBERG O. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  ROESSLER C. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  IHN T. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  ENSSLIN K. (ETH Zurich, Zurich, CHE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 9  ページ： 6003-6008  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン量子ドットへの古典的及び量子的両方の電荷検出器測定反作用を研究した。素子はSiO₂/Si基板上に垂直に,窒化ホウ素薄膜フレークを挟んだ二枚の二層グラフェン(BLG)ナノリボンをvan der Waals力により積層し,それぞれのBLGの量子ドットにソースとドレイン電極を設け,基板Siをバックゲートとした。一つの量子ドット(検出器)に有限バイアスを適用すると,他の一つのバイアス無しのドットに電流が誘起された。素子を容量結合したエネルギー依存のトンネリング障壁を持った平行な二重量子ドットにより近似し,非バイアス系における検出器誘起の反作用電流を説明した。検出器をさらに高バイアス下におき,非バイアス系のドットの追加的な電流を見出し,これを最低次を越えた過程により記述される多体相関輸送の領域における高次の量子力学検出器反作用の明らかな実験的証拠とした。

シソーラス用語： *グラフェン ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  窒化ホウ素 ,  薄膜 ,  van der Waals力 ,  積層構造 ,  *量子ドット ,  電磁結合 ,  トンネル効果 ,  障壁 ,  バイアス ,  依存性 ,  *反作用
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  トンネリング ,  ナノリボン ,  バックゲート ,  *二重量子ドット ,  二層グラフェン ,  *測定反作用 ,  容量結合

分類 (2件)： 量子力学一般  (BA06010C) ,  非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン量子ドット ,  反作用