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J-GLOBAL ID：201502210757711898   整理番号：15A1133774

分子線エピタクシーによるGaTe_xSe_1-x/Siの垂直ヘテロ構造の可制御成長

Controllable Growth of Vertical Heterostructure GaTe_xSe_1-x/Si by Molecular Beam Epitaxy

著者 (14件)： LIU Shanshan (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YUAN Xiang (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Peng (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CHEN Zhi-Gang (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  TANG Lei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Enze (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Cheng (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LIU Yanwen (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Weiyi (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LIU Cong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Chen (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZOU Jin (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  HU Weida (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  XIU Faxian (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 8  ページ： 8592-8598  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップの同調性を有する二次元半導体材料として,遷移金属二カルコゲン化物に着目した。本論文では,GaTe_xSe_1-x(0<x<1)の半導体薄膜の成長について検討した。分子線エピタクシー法を利用して,二次元半導体薄膜を成長させた。ウエハスケールで薄膜成長を制御し,2インチのウエハでも層状成長モードを達成した。Raman分光法で,フォノンの振動周波数を測定し,Ga,Te,Seの各元素が均一に空間分布していることを実証した。また,n型Si基板上にGaTe_0.64Se_0.36の薄膜を成長させ,デバイスへの応用の可能性を検討した。フォトダイオードアレイを作製し,この効率を調べた。GaTe_xSe_1-x/Siの垂直ヘテロ構造において,PN接合が確認され,整流特性が安定していた。また,外部量子効率が約50%,整流比は300以上であった。二次元半導体薄膜の品質が高く,半導体デバイスに応用できることが分かった。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  *ガリウム化合物 ,  テルル化合物 ,  セレン化物 ,  *素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  *MBE成長 ,  垂直 ,  可制御性 ,  遷移金属化合物 ,  カルコゲン化物 ,  バンドギャップ ,  同調 ,  半導体材料 ,  二次元 ,  ウエハ【IC】 ,  層状媒質 ,  Raman分光法 ,  フォノン ,  振動数 ,  空間分布 ,  N型半導体 ,  フォトダイオードアレイ検出器 ,  PN接合 ,  整流 ,  量子効率
準シソーラス用語： Si基板 ,  *ヘテロ構造 ,  外部量子効率

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタクシー ,  Si ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  成長