文献

J-GLOBAL ID：201502210769818809   整理番号：15A1343271

エピタキシャル成長モニタリング用マルチチャネル反射異方性分光器

A multichannel reflectance anisotropy spectrometer for epitaxial growth monitoring

著者 (8件)： ARIZA-FLORES D (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  ARIZA-FLORES D (Catedras Conacyt, Delegacion Benito Juarez, MEX) ,  ORTEGA-GALLEGOS J (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  NUNEZ-OLVERA O (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  BALDERAS-NAVARRO R E (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  LASTRAS-MARTINEZ L F (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  GUEVARA-MACIAS L E (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX) ,  LASTRAS-MARTINEZ A (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, SLP, MEX)
資料名： Measurement Science and Technology  (Measurement Science and Technology)
巻： 26  号： 11  ページ： 115901,1-5  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反射異方性分光法(RAS)又は反射差分光法(RDS)は非侵入の表面光学的解析法で,これは二つの直交する偏向ビームに対する反射率の差に基づいている。本稿で我々はN<span style=text-decoration:overline>’u</span>nez等のスペクトルメータを並列データ処理を可能にする多チャンネルロックインアンプを導入した拡張を報告する。新しい分光計は以前のものに較べて著しくS/N比を増加させるそしてスペクトル取得時間は100ms以下となり,230nmに渡るRAスペクトルに対してΔR/Rは10^-4レンジである。計測器の性能はGaAs基板へのGaAsのMBEホモ成長エピタキシャルに於いてリアルタイムRAスペクトルの取得時間は100msでΔR/R感度は10^-4の上部であるとの報告で示された。特に我々はGaAsのホモエピタキシャル成長中にc(4x4)から(2x4)への表面再構築の変化が起きることをモニターした。

シソーラス用語： スペクトロスコピー ,  *反射スペクトル ,  *異方性 ,  表面 ,  並列処理 ,  *チャネル ,  *分光計 ,  *監視 ,  *ホモエピタクシー ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  表面再構成
準シソーラス用語： 反射異方性分光法 ,  反射差分光法 ,  マルチチャネル

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  モニタリング ,  マルチチャネル ,  異方性 ,  分光器