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J-GLOBAL ID：201502210834954022   整理番号：15A0997949

アモルファスシリコンベース母材中に埋め込まれたシリコンナノ結晶の光学的特性評価と状態密度決定

Optical characterization and density of states determination of silicon nanocrystals embedded in amorphous silicon based matrix

著者 (5件)： VAN SEBILLE M (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  VASUDEVAN R A (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  LANCEE R J (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VAN SWAAIJ R A C M M (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ZEMAN M (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 32  ページ： 325302,1-9  発行年： 2015年08月19日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス母材中に埋め込まれたシリコンナノ結晶(NC)の吸収係数を得るために非破壊測定と簡単な解析法が紹介される。さらに,筆者らはNCとそれらの埋め込み母材の両方の光学的性質と状態密度(DOS)を抽出するためのモデルを提案した。このモデルを使用して,筆者らはレーザアニーリングSiリッチa-SiO_xによって生成された埋め込みNCに対する成長モデルを提案する。筆者らはレーザフルエンスの増加がNCバンドギャップの減少とNC DOS分布幅の減少に導く。そして,これはレーザフルエンスの増加に対してより大きな平均NCサイズとより狭いNCサイズ分布を示している。レーザ焼なましa-Si_0.66O_0.34:H膜に対して,筆者らは低レーザフルエンスで水素エフュージョンとサブバンドギャップ吸収の増加を観測する。140mJcm^-2の結晶閾値より大きなフルエンスに対して,サブバンドギャップ吸収と相対水素濃度に対する変化は重要ではない。これらの結果から,筆者らは欠陥生成が結晶化閾値以下のレーザフルエンスで支配的に生じると結論する。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *ナノ結晶 ,  状態密度 ,  *光学的性質 ,  吸収係数 ,  フルエンス
準シソーラス用語： シリコンナノ結晶 ,  レーザフルエンス

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アモルファスシリコン ,  母材 ,  シリコンナノ結晶 ,  光学的特性 ,  評価 ,  状態密度