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J-GLOBAL ID：201502210882798709   整理番号：15A0863143

クロム薄膜の量子臨界現象

著者 (4件)： 立野翔大 (金沢大) ,  大橋政司 (金沢大) ,  窪田崇秀 (東北大 金属材料研) ,  高梨弘毅 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書
巻： 2014  ページ： 40-41  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： L3700A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Crは308Kで反強磁性に磁気相転移するが,薄膜化により反強磁性が消失し超伝導が出現するとの報告がある。本研究では,その報告を検証することを目的とした。Cr薄膜の形成にはAr雰囲気中のイオンビームスパッタ(IBS)法を用い,厚さ10,50,200,400,600および800nmの多結晶試料と,厚さ200および400nmの単結晶薄膜を作製した。5K以下の低温における電気抵抗と0.5Kにおける抵抗の磁場依存性を測定した。その結果,1.5K付近で急激な抵抗減少および磁場印加による抵抗値の回復といった超伝導に特有な現象は観察されたが,Crの薄膜化により超伝導が出現するとの結論には至らなかった。また,この結果がCr薄膜の表面酸化に起因する可能性もあり,今後の検討が必要である。

シソーラス用語： *クロム ,  *金属薄膜 ,  *臨界現象 ,  量子効果 ,  アルゴン ,  イオンビームスパッタリング ,  膜厚 ,  多結晶 ,  単結晶 ,  電気抵抗 ,  依存性 ,  超伝導 ,  酸化 ,  反強磁性 ,  磁気転移 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 磁場依存性 ,  反強磁性転移 ,  表面酸化 ,  *量子臨界現象

分類 (1件)： 電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： クロム ,  薄膜 ,  量子臨界現象