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J-GLOBAL ID：201502210899623619   整理番号：15A1044108

p-GaNへの良好なオーミック接触形成によるn-ZnO/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの向上した性能特性

Enhanced performance characteristics of n-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diodes by forming excellent Ohmic contact to p-GaN

著者 (2件)： JEONG Seonghoon (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...) ,  KIM Hyunsoo (School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Res. Center, Chonbuk National Univ., Jeonju ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 39  ページ： 771-774  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaNへの良好なオーミック接触形成によるn-ZnO/p-GaNヘテロ接合発光ダイオードの大きく改善された性能特性を報告する。p-GaN上のZnOスパッタリングダメージを抑える注意深く設計された製造プロセス,すなわちp-GaN表面の選択SiO₂パシベーションが9.8×10^-3Ωcm²の比接触抵抗でp-GaNに優れたオーミック接触をもたらすのに対して,保護されていないp-GaN上に形成した参照接触は非オーミック挙動を示した。改善したp-オーミック接触のヘテロ接合LEDは参照LEDよりもはるかに優れた性能特性を持っている。即ち,開発したLEDと参照LEDではそれぞれ2mAでの順電圧が5.6と16.2V,直列抵抗が404と1693Ω,光出力が3mAで56.4と19.9μWである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  発光ダイオード ,  *Ohm接触 ,  電気抵抗 ,  不動態化 ,  比率 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GaN ,  ZnO ,  オーミック接触 ,  パッシベーション ,  直列抵抗 ,  比接触抵抗

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： オーミック接触 ,  ヘテロ接合 ,  発光ダイオード ,  性能特性