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J-GLOBAL ID:201502211065765838   整理番号:15A1349031

ポリマレジスト上のナノグルーブ作製に対するAFMチップを基にした直接及び振動アシストスクラッチングの影響

Effects of AFM tip-based direct and vibration assisted scratching methods on nanogrooves fabrication on a polymer resist
著者 (6件):
資料名:
巻: 356  ページ: 348-354  発行年: 2015年11月30日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ポリメタクリル酸メチル(PMMA)薄膜レジストの表面にナノグルーブを作製するための振動アシストスクラッチングと比較してシングルパススクラッチング及びマルチパススクラッチングを含む二つの原子間力顕微鏡(AFM)チップを基にした直接ナノスクラッチング法を提案した。摩耗からAFMチップを保護し,続くエッチングプロセスを最適化するためには,加工深さはシリコン基板との直接接触を防ぎ,よりよいプロセス結果を得るためにPMMA厚さよりも少し薄いことが期待される。先ずシングルパススクラッチング試験を垂直荷重を変えていろいろな厚さの膜上で実施した。その結果,シングルパス法でスクラッチしたとき,グルーブの加工深さを容易に50~120nmの膜厚よりわずかに浅く得ることはできず,次のエッチングプロセスに極めて適しているとはいえないことが分かった。次のマルチパス及び振動アシスト法を利用してシングルパスプロセスのこの加工深さの限界を解決した。マルチパス法を使用した加工深さはスクラッチ時間及び適用した垂直荷重に依存した。さらに,膜厚に近い深さがスクラッチサイクル数を多くすることにより得られた。しかし,スクラッチ時間が長くなると大きなチップ摩耗が見られた。振動アシスト法に対しては,加工深さは振動の振幅及び垂直荷重により制御された。z方向の振動増大により加工深さをシングルパスと比較して大きくでき,それにより作製プロセスを実行可能なものにした。さらに,振動アシスト法は加工プロセスの間のチップ摩耗を減らすことに寄与した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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固体デバイス製造技術一般 
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