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J-GLOBAL ID：201502211365239879   整理番号：15A1045387

Cr-Ge-Te薄膜の相変化挙動

著者 (4件)： 畑山祥吾 (東北大 工) ,  安藤大輔 (東北大 工) ,  須藤祐司 (東北大 工) ,  小池淳一 (東北大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14A-PB7-3  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： PRAM【メモリ】 ,  材料 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *クロム化合物 ,  テルル化物 ,  *電気抵抗 ,  *結晶化 ,  スパッタリング ,  晶出温度 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 結晶化温度 ,  相変化RAM ,  *相変化材料 ,  同時スパッタリング

分類 (2件)： その他の非晶質の構造  (BK04040Z) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cr ,  Ge ,  Te ,  薄膜 ,  相変化 ,  挙動