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J-GLOBAL ID：201502211565526988   整理番号：15A0859607

InAs/AlAsSb量子ドットにおける歪補償効果の光ルミネセンス研究

Photoluminescence study of the effect of strain compensation on InAs/AlAsSb quantum dots

著者 (6件)： ZHAO Zhexin (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  LAGHUMAVARAPU Ramesh B. (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  SIMMONDS Paul J. (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  JI Haiming (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  LIANG Baolai (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  HUFFAKER Diana L. (California NanoSystems Inst. & Electrical Engineering Dep., Univ. of California-Los Angeles, Los Angeles, CA 90095, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 425  ページ： 312-315  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/AlAsSb/InP量子ドット(QD)の積層構造を,温度とパワーに依存する光ルミネセンスを使って調べた。InAs/AlAsSb QDのバンドギャップは室温で0.73eVであり,これは中間バンド太陽電池用に理想的である。量子ドット層数を増すと,集積した圧縮歪の効果により,光ルミネセンスは短波長シフトを示した。この光ルミネセンスの短波長シフトは,歪補償用にAlAs薄層を利用すると,中和作用を受ける。このエキゾチック量子ドット系の熱活性化エネルギーも求めた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ヒ化インジウム ,  アルミニウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  *ヒ化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *補償 ,  *光ルミネセンス ,  積層構造 ,  太陽電池 ,  バンド構造 ,  *ヒ化アルミニウム
準シソーラス用語： *アンチモン化ヒ化アルミニウム ,  *歪補償 ,  中間バンド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  量子ドット ,  補償効果 ,  光ルミネセンス ,  研究