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J-GLOBAL ID：201502211643798042   整理番号：15A0507722

高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出

著者 (6件)： 山堀俊太 (東京都市大 工) ,  笹子知弥 (東京都市大 工) ,  米倉瑛介 (東京都市大 工) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 工) ,  池永英司 (高輝度光科学研究セ) ,  野平博司 (東京都市大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-P17-2  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *素子構造 ,  *歪 ,  *価電子バンド ,  イオン注入 ,  緩和現象
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  *ヘテロ構造 ,  *一軸歪 ,  *価電子帯 ,  歪緩和 ,  *二軸ひずみ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高空間分解能 ,  XPS ,  歪み ,  組成 ,  SiGe ,  価電子帯