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J-GLOBAL ID：201502211781862193   整理番号：15A0581215

非照射6H-SiCナノ構造のシリコン空孔関連中心

Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure

著者 (12件)： BAGRAEV N. T. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BAGRAEV N. T. (State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS) ,  DANILOVSKII E. Yu. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  GETS D. S. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KALABUKHOVA E. N. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  KLYACHKIN L. E. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KOUDRYAVTSEV A. A. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  MALYARENKO A. M. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicaltechnical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  MASHKOV V. A. (State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS) ,  SAVCHENKO D. V. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  SAVCHENKO D. V. (Acad. of Sciences of Czech Republic, Inst. of Physics, Praha, CZE) ,  SHANINA B. D. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 5  ページ： 649-657  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非照射6H-SiCナノ構造で確認したシリコン空孔関連中心を,電子スピン共鳴(ESR)と電気的に検出された(ED)ESR技術を使用して,最初に発見したことを発表した。このプレーナ6H-SiCナノ構造は,n型6H-SiC(0001)ウエハ上でホウ素を高濃度にドープしたデルタバリア層によって閉じ込められた非常に狭いp型量子井戸を表している。δバリアからの高周波発生の下で,6H-SiCの磁気抵抗のみを測定する新しいEDESD技術は,スピン状態S=1の三重項と同様に,シリコン空孔中心を分離して認識できるように見える。ゼロ磁場分裂定数Dの値と異方性g因子によって特徴づけられる同じ三重項中心は,ESR(Xバンド)法により,明らかにできる。¹⁴Nの核との超微細(HF)相互作用により発生するESRとEDESRスペクトルHF線は,N-V_Si欠陥に対するこの三重項中心に起因すると考えられる。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： イオン照射 ,  *炭化ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *ケイ素 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  電気測定 ,  N型半導体 ,  δ関数 ,  層 ,  P型半導体 ,  *量子井戸 ,  磁気抵抗 ,  三重項 ,  スペクトル線形 ,  二次イオン質量分析 ,  スペクトル線分裂 ,  Hall効果 ,  ホウ素 ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  積層構造 ,  六方晶系 ,  *空格子点 ,  空孔欠陥 ,  窒素同位体 ,  超微細相互作用
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  Rabi分裂 ,  Xバンド ,  スピン状態 ,  バリア層 ,  ODMR ,  空孔【点欠陥】 ,  窒素14

分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  ナノ構造 ,  シリコン ,  空孔