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J-GLOBAL ID：201502211862101821   整理番号：15A1399191

六水和硝酸亜鉛と三水和硝酸銅(III)を用いた化学浴堆積によるZnOナノロッドの形状制御成長およびZnO/CuOヘテロ接合の作製

Shape controlled growth of ZnO nanorods and fabrication of ZnO/CuO heterojunctions by chemical bath deposition using zinc nitrate hexahydrate and copper (III) nitrate trihydrate

著者 (6件)： TERASAKO Tomoaki (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  HAMBALI Nur Ashikyn (Malaysia-Japan International Inst. of Technol., Universiti Teknologi Malaysia, Jalan Semarak, Kuala Lumpur 54100 ...) ,  JAYAH Nurul Azzyaty (Malaysia-Japan International Inst. of Technol., Universiti Teknologi Malaysia, Jalan Semarak, Kuala Lumpur 54100 ...) ,  WAKISAKA Toshiya (Fac. of Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  HASHIM Abdul Manaf (Malaysia-Japan International Inst. of Technol., Universiti Teknologi Malaysia, Jalan Semarak, Kuala Lumpur 54100 ...) ,  YAGI Masakazu (National Inst. of Technol., Kagawa Coll., 551 Koda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 596  ページ： 201-208  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六水和硝酸亜鉛[Zn(NO₃)₂・6H₂O]およびヘキサメチレンテトラミン(HMT)の混合水溶液(ZnNit溶液と呼ばれる)を用いて,化学浴堆積(CBD)によりAu/アルカリフリーガラス基板上に垂直配列の酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド(NR)を成長させるのに成功した。成長時間と成長温度が一定であっても,NRの直径と長さはZnNit溶液の濃度の増加とともに増加する。高濃度のZnNit溶液から成長したZnONRは,そのPLスペクトルに強いバンド端発光を示し,その高結晶性を示した。ZnNit溶液内で異なった基板配置を実現するための二つの異なった基板ホルダを用いて,三水和硝酸銅(II)[Cu(NO₃)₂・3H₂O]の水溶液を用いるCBDで調製したCuO膜上にCuO表面に垂直なZnONRまたはCuO表面法線から傾いて立つZnONRを得た。ZnONR/CuOヘテロ構造のCBD実験を,0.01~0.1Mの範囲のZnNit溶液の種々の濃度で行った。2つの異なった基板ホルダを用いたNR成長間の顕著な差異が,NRsの密度と平均直径に観察されたが,平均長さには変化がなかった。この知見から,堆積プロセス中のZnNit溶液中の基板の配置が,溶液の濃度と同様,NRsの形状を制御する重要な因子の一つであることを示唆する。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *析出 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *基板 ,  ガラス ,  金 ,  金属薄膜 ,  *配列 ,  *濃度依存性 ,  *光ルミネセンス ,  形状制御 ,  *酸化銅 ,  *ヘテロ接合 ,  硝酸塩 ,  銅化合物 ,  亜鉛化合物 ,  水溶液 ,  配置 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  硝酸亜鉛 ,  硝酸銅 ,  サーボ制御
準シソーラス用語： *化学浴堆積 ,  *垂直配列

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (11件)： 水和 ,  硝酸亜鉛 ,  硝酸銅 ,  化学浴堆積 ,  ZnOナノロッド ,  形状制御 ,  成長 ,  ZnO ,  CuO ,  ヘテロ接合 ,  作製