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J-GLOBAL ID：201502211883933141   整理番号：15A0706417

引張歪下のMoS₂単分子層の相転移,有効質量及びキャリア移動度

Phase transition, effective mass and carrier mobility of MoS₂ monolayer under tensile strain

著者 (7件)： YU Sheng (Dep. of Electrical and Computer Engineering, George Mason Univ., Fairfax, VA 22030, USA) ,  XIONG Hao D. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, South Univ. of Sci. and Technol. of China, Shenzhen, CHN) ,  XIONG Hao D. (Semiconductor and Dimensional Metrology Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, MD 20899, USA) ,  ESHUN Kwesi (Dep. of Electrical and Computer Engineering, George Mason Univ., Fairfax, VA 22030, USA) ,  YUAN Hui (Dep. of Electrical and Computer Engineering, George Mason Univ., Fairfax, VA 22030, USA) ,  YUAN Hui (Semiconductor and Dimensional Metrology Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, MD 20899, USA) ,  LI Qiliang (Dep. of Electrical and Computer Engineering, George Mason Univ., Fairfax, VA 22030, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 325  ページ： 27-32  発行年： 2015年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS₂単分子層への引張歪の影響の計算による研究を報告した。単分子層における直接及び間接バンドギャップ構造間の転移と半導体及び金属相間の転移を,x軸及びy軸双方の成分ε_xy(ε_x及びε_y)のあらゆる方向形状に沿う引張歪のもとで調べた。電子有効質量及び正孔有効質量は2軸歪ε_xy=ε_x=ε_yに対して等方的であり,ε_x≠ε_yであるε_xyに対して異方的であった。キャリアの有効質量は,引張歪への応答として,異なる方向へは異なって振舞った。加えて,歪のキャリア移動度への影響を変形ポテンシャル理論を用いることによって調べた。電子移動度は2軸歪,ε_x=ε_y=9.5%によって10倍以上にも増えた。また,移動度も,μ≒T^-1に従って温度上昇とともに単調に減少した。これらの結果は,2次元材料に基づく将来のナノテクノロジーにとって極めて重要である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *単分子層 ,  *二次元 ,  層状化合物 ,  ハニカム構造 ,  *歪 ,  *金属-半導体転移 ,  *有効質量 ,  変形ポテンシャル ,  *キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  *バンドギャップ ,  フォノン
準シソーラス用語： *引張歪 ,  音響フォノン

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 引張歪 ,  MoS2 ,  単分子層 ,  相転移 ,  有効質量 ,  キャリア移動度