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J-GLOBAL ID：201502212053908842   整理番号：15A1215710

PbTiO_3の電子構造と伝導率に及ぼすNドーピングと酸素空格子点の効果【Powered by NICT】

The effects of N-doping and oxygen vacancy on the electronic structure and conductivity of PbTiO_3

著者 (3件)： Niu Peijiang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai) ,  Yan Jinliang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai) ,  Meng Delan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong Univ., Yantai)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 4  ページ： 043004-1-043004-6  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン分極密度汎関数理論計算を用いて,p型NドープPbTiO_3の電子密度差,バンド構造と状態密度を調べた。さらに,NドープPbTiO_3中の酸素空格子点も議論した。窒素ドーパントは結晶に導入した後,NドープPbTiO_3システムであるスピン分極,スピンダウン価電子バンドは高エネルギー準位に移動し,Fermiエネルギー準位は価電子帯の頂部に移動し,最終的にバンドギャップが狭くなった。このプロセスでは,NドープPbTiO_3は,典型的なp型半導体特性を示した。酸素空格子点とN不純物はPbTiO_3中に共存した時,スピン分極現象ではない。伝導帯は下方に移動し,受容体は完全に補償されることが分かった。計算結果は実験データと一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  Fermi準位 ,  電子密度 ,  *電子構造 ,  伝導バンド ,  ドーパント ,  スピン分極 ,  バンドギャップ ,  バンド構造 ,  価電子バンド ,  状態密度 ,  エネルギー準位 ,  *ドーピング ,  *酸素空格子点
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  格子欠陥一般  (BK12010J) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  組織的硬化現象  (WB01020C) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子構造 ,  伝導率 ,  ドーピング ,  酸素空格子点