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J-GLOBAL ID：201502212458178477   整理番号：15A1289379

金属ドープβ-菱面体晶ボロンにおける熱電特性向上とp-n特性制御

Improvement of Thermoelectric Performance and P-N Control for Metal-Doped β-Rhombohedral Boron

著者 (7件)： 高際良樹 (東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻) ,  黒田訓英 (東京学芸大学物理学科) ,  今井恵利華 (東京学芸大学物理学科) ,  金沢育三 (東京学芸大学物理学科) ,  兵藤宏 (東北大学多元物質科学研究所) ,  曽我公平 (東京理科大学基礎工学部材料工学科) ,  木村薫 (東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 79  号： 11  ページ： 581-585 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： βボロンは,ドーピングによるキャリア濃度調節が可能で,複雑な結晶構造に起因する低熱伝導率を示す特徴を活かして,熱電変換材料としての応用が期待されている。そこで本稿では,まずβボロンにおいて,Vをドーパントとして選択したn型材料として,既存材料のB₄Cに匹敵する高い特性を得た経緯を概説した。次に,新しい研究成果として,Cuをドーパントとして選択し,ドープ量を変化させp型材料として高い特性を得た経緯を紹介した。最後に,これまでの研究のまとめを以下に示す。1)半導体ボロンにおける,ドーピングによるキャリア濃度調整を行い,n型(Vドープ)およびp型(Cuドープ)で既存のボロン化合物であるB₄Cを上回るZTを得た。2)このことは,同一合金系でのモジュール設計が可能なことを示した。3)Cuドープによるキャリア濃度調整および熱伝導率低減の相乗効果により,Cu_4.0B₁₀₅で最も高いZT=0.038(973K)を示した。

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  三方晶系 ,  ドーパント ,  銅 ,  バナジウム ,  *熱電材料 ,  *電気特性 ,  性能指数 ,  熱伝導率 ,  電気伝導率 ,  ドーピング ,  PN接合 ,  銅化合物 ,  バナジウム化合物
準シソーラス用語： n型ドーピング ,  p型ドーピング ,  熱電性能指数 ,  *熱電特性 ,  菱面体晶

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  菱面体晶 ,  ボロン ,  熱電特性