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J-GLOBAL ID：201502212520318817   整理番号：15A1289295

ナノ微細構造形成技術の新展開 4 ナノインプリント手法によるガラスやポリマー上での単原子レベル極微細パターン形成

著者 (2件)： 松田晃史 (東京工業大学) ,  吉本護 (東京工業大学)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 83  号： 11  ページ： 1016-1020 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ボトムアップ及びトップダウン手法を組合せ,酸化物単結晶・セラミックスにおける自己組織化現象を用いたナノ・単原子スケールのモールド合成,及び酸化物ガラスやポリマーなど熱可塑性材料表面の単原子スケールパターン転写技術について筆者らの最近の研究成果を中心に紹介した。非晶質材料表面への単原子レベル転写プロセス,単原子レベルパターンモールドの自己組織的作製,単原子レベルインプリント転写,単結晶へき開モールドによる二次元単原子レベルインプリント転写,エレクトロニクスへの応用展開,について述べた。

シソーラス用語： *微細構造 ,  *構造形成 ,  *押付成形 ,  *パターン形成 ,  ガラス ,  重合体 ,  セラミック ,  自己組織化 ,  長さ ,  熱塑性 ,  パターン転写 ,  材料 ,  劈開【結晶】 ,  原子スケール ,  酸化物ガラス ,  非晶質材料 ,  *ミクロパターン形成 ,  機械的性質 ,  性質
準シソーラス用語： *ナノインプリント ,  ポリマ ,  熱可塑性 ,  *微細パターン形成

分類 (2件)： 電気化学一般  (CB07010N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Sakka, Glass Kagaku no Kiso to Ouyou, Uchida Rokakuho, Tokyo, (1997). [in Japanese]
• 2) H. I. Smith, M. W. Geis, C. V. Thompson, and H. A. Atwater, J. Cryst. Growth, 63, 527 (1983).
• 3) K. Sakano, K. Moriwaki, H. Aritome, and S. Namba, Jpn. J. Appl. Phys., 21, L636 (1982).
• 4) S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett., 67, 3114 (2006).
• 5) S. H. Ahn and L. J. Guo, Adv. Mater., 20, 2044 (2008).

タイトルに関連する用語 (9件)： 微細構造 ,  展開 ,  ナノインプリント ,  手法 ,  ガラス ,  ポリマー ,  単原子 ,  極 ,  微細パターン形成