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J-GLOBAL ID：201502212735925030   整理番号：15A0908444

原子層堆積によって成長させたZnO薄膜特性へのドープ処理とアニールの効果

Effects of doping and annealing on properties of ZnO films grown by atomic layer deposition

著者 (8件)： WANG Aiji (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN Tingfang (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  LU Shuhua (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  LU Shuhua (People’s Public Security Univ. China, Beijing, CHN) ,  WU Zhenglong (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  LI Yongliang (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN He (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Yinshu (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:75 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 150°Cの原子層堆積によって非ドープおよびAl ドープZnO薄膜を合成し,そして,異なる雰囲気で350°Cでアニールした。薄膜の成長モードと特性へのドープ処理とアニールの効果を研究した。非ドープ薄膜は,強いUV放出と弱いZn間隙放出をした。アニーリングは,O空孔を導入し,Zn割込みを減少させ,そして,UV放出を弱め青色遷移となる。これはアニール雰囲気に敏感である。Alドーピングは,基板表面と平行したc軸で薄膜成長を誘導する。それは非放射性センターを導入し,UV放出を弱める。Alドーピングは薄膜バンドギャップを広げる。そして,それにはAl含量に対し二次依存がある。アル・ドーピングは,5.3×-10^-3Ω^-1cmまで薄膜抵抗を減少させる。アニーリングは,ドープ薄膜の光ルミネセンスに,ほとんど影響を及ぼさない,しかし,それは非ドープとドープZnO薄膜伝導率を劇的に低下させ,そして,劣化はアニーリング雰囲気に依存する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  焼なまし ,  空孔欠陥 ,  紫外線 ,  放出
準シソーラス用語： 原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  ZnO薄膜 ,  ドープ処理 ,  アニール