文献

J-GLOBAL ID：201502212782194353   整理番号：15A0842549

相変化ランダムアクセスメモリ応用のためのプラズマ増強化学蒸着(PE-MOCVD)によって蒸着された非晶質GeTe膜における炭素含有量の制御

Control of carbon content in amorphous GeTe films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-MOCVD) for phase-change random access memory applications

著者 (13件)： AOUKAR M (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  AOUKAR M (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  AOUKAR M (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  SZKUTNIK P D (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  JOURDE D (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  JOURDE D (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  PELISSIER B (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  MICHALLON P (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  MICHALLON P (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  NOE P (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  NOE P (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  VALLEE C (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, FRA) ,  VALLEE C (LTM, CNRS, Grenoble, FRA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 26  ページ： 265203,1-10  発行年： 2015年07月08日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,筆者らは,プラズマ増強金属有機化学蒸着プロセス(PE-MOCVD)を使用することによって,良好な等角蒸着にとって重要であるGeTe薄膜の非晶質,非均質,及び滑らかな層の蒸着をまず報告する。それから,筆者らは,準in situ X線光電子分光法(XPS)による膜の解析と結びつけた発光分光法(OES)によって,蒸着プラズマにおける前駆体解離メカニズムを研究する。この研究は膜のC汚染を制御する方法に関する手がかりを筆者らに与える。最終的に,筆者らは炭素濃度レベル,そして,その結果としてGeTe層の結晶化温度は蒸着操作パラメータの適切な調整によって制御されることを示す。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *プラズマCVD ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  *薄膜 ,  X線光電子分光法 ,  発光分光法 ,  晶出温度 ,  炭素 ,  非晶質
準シソーラス用語： テルル化ゲルマニウム ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  ランダムアクセスメモリ ,  結晶化温度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 相変化 ,  ランダムアクセスメモリ ,  応用 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  蒸着 ,  非晶質 ,  GeTe ,  炭素含有量