オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS(TED MOS)の開発

手賀直樹; 吉元広行; 久本大; 渡辺直樹; 清水悠佳; 佐藤慎太郎; 毛利友紀; 石垣隆士; 松村三江子; 小西くみこ; 小林慶亮; 秋山悟; 藤田隆誠; 島明生; 嶋本泰洋

文献

J-GLOBAL ID：201502212844944796 整理番号：15A1347431

オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS(TED MOS)の開発

Development of trench-etched double-diffused SiC MOS (TED MOS) for overcoming tradeoff between R_onA and Q_gd.

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著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： EDD-15 号： 87-105 ページ： 87-92 発行年： 2015年10月29日
JST資料番号： Z0910A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

トレンチ型MOSのオン抵抗(RonA)とゲート-ドレイン間の電荷量(Qgd)とのトレードオフ関係を解消するTED MOSを考案,試作し,広いチャネル幅等による有効性を示した。TED(trench-etched double-diffused)MOSのトレンチおよびゲート電極がPボディ層に覆われるように形成され,チャネルが基板に対して並行に形成される構造の特徴を示した。トレンチ上面,底面,側面をチャネルとして用い,広いチャネル幅と高い移動度が得られ,またTED MOSとDMOSとの比較としてオン抵抗と帰還容量が小さく,スイッチングが速く,スイッチング損失を低減可能,かつFOMが66%低減できる。次世代SiC MOSの最有力候補と思われる。

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トランジスタ

引用文献 (10件)：

A. K. Agarwal, J. B. Casady, L. B. Rowland, W. F. Valek, M. H. White, and C. D. Brandt: "1.1 kV 4H-SiC Power UMOSFET's", Electron Device Lett., Vol. 18, No. 12, pp. 586-588 (1997)
T. Nakamura, Y. Nakano, M. Aketa, R. Nakamura, S. Mitani, H. Sakairi, and Y.Yokotsuji: "High Performance SiC Trench Devices with Ultra-low Ron", IEDM Tech. Dig., pp. 26.5.1-26.5.3, Washington, DC, USA(2011)
H. Takaya, J. Morimoto, K. Hamada, T. Yamamoto, J. Sakakibara, Y. Watanabe, and N. Soejima: "A 4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide for Improving Characteristics", Proc. ISPSD, pp.43-46, Kanazawa, Japan(2013)
N. Tega, H. Yoshimoto, D. Hisamoto, N. Watanabe, H. Shimizu, S. Sato, Y. Mori, T. Ishigaki, M. Matsumura, K. Konishi, K. Kobayashi, T. Mine, S. Akiyama, R. Fujita, A. Shima, and Y. Shimamoto: "Novel trench-etched double-diffused SiC MOS (TED MOS) for overcoming tradeoff between R_on and Q_gd", Proc. ISPSD, pp.81-84, Hong Kong, China(2015)
Y. Kagawa, N. Fujiwara, K. Sugawara, R. Tanaka, Y. Fukui, Yamamoto, N. Miura, M. Imaizumi, S. Nakata, and S. Yamakawa: "4H-SiC trench MOSFET with bottom oxide protection", Mat. Sci. Forum, Vols. 778-780, pp. 919-922(2014)

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