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J-GLOBAL ID：201502213009443812   整理番号：15A1142407

電子構造とSi(1-x)Ge_xナノワイヤの光学的性質に及ぼす表面不動態化の影響【Powered by NICT】

Impact of Surface Passivation on the Electronic Structure and Optical Properties of the Si_(1-x)Ge_x Nanowires

著者 (4件)： Lai Xin (Coll. of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ. Key Lab. of High Energy Density Physics and Technol. of Ministry ...) ,  Zhang Xi (Coll. of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ. Key Lab. of High Energy Density Physics and Technol. of Ministry ...) ,  Zhang Yixi (Coll. of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ. Key Lab. of High Energy Density Physics and Technol. of Ministry ...) ,  Xiang Gang (Coll. of Physical Sci. and Technol., Sichuan Univ. Key Lab. of High Energy Density Physics and Technol. of Ministry ...)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 32  号： 2  ページ： 027301-1-027301-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の官能基(-H,-Fおよび-OH)で不動態化した[110]配向Si(1-x)Ge_xナノワイヤ(NW)の電子構造と光学的性質を第一原理計算を用いて調べた。結果は表面不動態化は,電子バンド構造の特性に大きく影響することを示した:異なるターミネータを持つSi(1-x)Ge_x NWのバンドギャップ幅とタイプ(直接または間接)は複雑でロバストな変動を示し,NW中の電子の有効質量はターミネータによって劇的に調節することができた。光吸収の研究は,Si(1-x)Ge_x NW官能基で不動態化の平行な偏光成分の主ピークは高さと位置の両方で顕著な変化を示し,対応する純Si NWのターミネーターとGe濃度の両方の重要性を示しているに関して赤方偏移することを示した。著者らの結果は,Si(1-x)Ge_x NWの電子的及び光学的性質をカスタマイズ目的のために選択された官能基だけでなく,特定のGe濃度を利用することによって調整できることを実証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *ナノワイヤ ,  有効質量 ,  *不動態化 ,  カスタム化 ,  *光学的性質 ,  光吸収 ,  分子配向 ,  バンドギャップ ,  偏光 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  第一原理計算 ,  官能基 ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子構造 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  光学的性質 ,  表面不動態化