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J-GLOBAL ID：201502213726137432   整理番号：15A1057613

有機金属気相エピタクシー(MOVPE)で成長させた高AlNモル比Al_xGa_1-xN多重量子井戸の井戸層中の適当なSiドーピングによるカチオン空格子点濃度の低減

Reduction in the concentration of cation vacancies by proper Si-doping in the well layers of high AlN mole fraction Al_xGa_{1- x}N multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (5件)： CHICHIBU S. F. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN) ,  MIYAKE H. (Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  ISHIKAWA Y. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN) ,  FURUSAWA K. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai 980-8577, JPN) ,  HIRAMATSU K. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 12  ページ： 121602-121602-5  発行年： 2015年09月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： MOCVD ,  窒化アルミニウム ,  ガリウム化合物 ,  *多重量子井戸 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  空格子点 ,  カチオン ,  *陰極線ルミネセンス ,  波動関数 ,  電子顕微鏡観察 ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (11件)： 有機金属気相エピタクシー ,  MOVPE ,  成長 ,  AlN ,  モル比 ,  多重量子井戸 ,  井戸層 ,  Si ,  ドーピング ,  カチオン ,  空格子点