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J-GLOBAL ID：201502213735594854   整理番号：15A0980760

ビアラストTSV構造によるlow-k層の熱応力破壊解析

Thermal Stress Destruction Analysis in Low-k Layer by Via-last TSV Structure

著者 (5件)： KITADA Hideki (Fujitsu Ltd.) ,  AKAMATSU Toshiya (Fujitsu Ltd.) ,  MIZUSHIMA Yoriko (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  ISHITSUKA Takeshi (Fujitsu Ltd.) ,  SAKUYAMA Seiki (Fujitsu Ltd.)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 65th Vol.3  ページ： 1840-1845  発行年： 2015年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンビア(TSV)近傍のバックエンドオブライン(BEOL)絶縁層で,室温~400°Cの熱サイクルによりクラックを生じた。本稿では,有限要素解析(FEA)と熱サイクル試験後の観察によりメカニズムを調べ対策した。その結果,TSVランディングエリアに熱機械的応力集中が起こることが確認された。また,TSV底部のチタン(Ti)バリアライナの側面カバレッジが不十分なTSV側壁においてスリットボイドが見られた。金属接触部のBEOL変形も明らかであった。そして,TSVランディングパッド構造を持つBEOLlow-k/銅で最適応力分散設計を行うことにより,low-k層クラックを防ぐことが可能であることを示した。

シソーラス用語： *バイアホール ,  多層配線 ,  誘電体薄膜 ,  *熱応力 ,  数値解析 ,  有限要素法 ,  半導体プロセス ,  層 ,  拡散障壁 ,  *応力集中 ,  熱サイクル
準シソーラス用語： BEOL ,  *スルーシリコンビア ,  バリア層 ,  low-k膜 ,  破壊解析 ,  有限要素解析

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： TSV ,  熱応力 ,  破壊解析