文献
J-GLOBAL ID:201502213770005535
整理番号:15A0785575
対称トンネル電界効果トランジスタにおけるLER誘起閾値電圧変動に及ぼす二重パターニング法の影響
Impact of the double-patterning technique on the LER-induced threshold voltage variation in symmetric tunnel field-effect transistor
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著者 (3件):
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資料名:
巻:
12
号:
12
ページ:
20150349-20150349 (J-STAGE)
発行年:
2015年
JST資料番号:
U0039A
ISSN:
1349-2543
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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最近,電力密度問題に対処する代替デバイスとして対称トンネル電界効果トランジスタが提案された。その特徴は対称構造による急峻なスイッチング特性および双方向電流である。パターニング分解能を更に増強するために193nm液浸リソグラフィーを二重/多重パターニング法と一対にさせるため,[単一パターニング・単一エッチング(1P1E)に対して]二重パターニング・二重エッチング(2P2E)誘起ゲート線端粗さ(LER)がS-TFETに及ぼす影響を,各種のデバイス設計パラメータと共に調べる。最後に,2P2E法および1P1E法に対してLERに差が生じる物理的理由を調べる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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トランジスタ
引用文献 (25件):
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[1] W. Y. Choi, B. G. Park, J. D. Lee and T.-J. K. Liu: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 743. DOI:10.1109/LED.2007.901273
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[2] C. Hu, P. Patel, A. Bowonder, K. Jeon, S. H. Kim, W. Y. Loh, C. Y. Kang, J. Oh, P. Majhi, A. Javey, T.-J. K. Liu and R. Jammy: Proc. IEEE IEDM (2010) 387. DOI:10.1109/IEDM.2010.5703372
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[3] T. Nirsch, S. Henzler, C. Pacha, P.-F. Wang, W. Hansch, G. Georgakos and D. Schmitt-Landsiedel: Proc. IEEE Conf. Nanotechnol. (2004) 402. DOI:10.1109/NANO.2004.1392364
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[4] P. Matheu, B. Ho, Z. A. Jacobson and T.-J. K. Liu: IEEE Trans. Electron Dev. 59 (2012) 1629. DOI:10.1109/TED.2012.2191410
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[5] S. H. Kim, H. Kam, C. Hu and T.-J. K. Liu: Proc. Symp. VLSI Technol. (2009) 178.
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