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J-GLOBAL ID:201502213788382700   整理番号:15A0227974

ラジオ周波数マグネトロンスパッタリングによるペロブスカイト型酸化および酸窒化物(Sr,La)-(Ta,Ti)O-N薄膜の成長:反応性雰囲気の薄膜構造への影響

Growth of (Sr,La)-(Ta,Ti)-O-N perovskite oxide and oxynitride films by radio frequency magnetron sputtering: Influence of the reactive atmosphere on the film structure
著者 (8件):
資料名:
巻: 413  ページ: 5-11  発行年: 2015年03月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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新しい誘電的および強誘電的化合物を探索する上で,著者らは強誘電性化合物Sr2Ta2O7(TCurie=-107°C)およびLa2Ti2O7(TCurie=-1461°C)から成るペロブスカイト型固溶体(Sr1-xLax)2(Ta1-xTix)2O7に関心を持っている。室温近くのCurie点を達成するために,x=0.01の組成を選択して反応性ラジオ周波数マグネトロンスパッタリングにより合成した。酸素リッチなプラズマ中ではSr0.99La0.01)2(Ta0.99Ti0.01)2O7薄膜が堆積し,これは(001)MgO基板上への(110)エピタキシャル成長で,バンドギャップはEg=4.75eVであるとキャラクタライズされた。窒素リッチなプラズマを使用した場合,バンドギャップはEg~2.10eVで組織化した多結晶または(001)MgO基板上へエピタキシャル成長したSr0.99La0.01)2(Ta0.99Ti0.01)O2N酸窒化薄膜を合成することができる。窒素濃度が低いスパッタリングプラズマではより大きな格子定数を有する窒素が不足した亜化学量論的酸窒化薄膜が合成されるCopyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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