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J-GLOBAL ID:201502214016725153   整理番号:15A1079297

内側プラズマによるエッチング過程のレーザ誘起蛍光モニタリング

Laser induced fluorescence monitoring of the etching processes with the inward plasma
著者 (9件):
資料名:
巻: 121  ページ: 300-304  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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レーザ誘起蛍光(LIF)分光法を使って,局在プラズマエッチングシステムにおけるエッチング過程をモニタした。エッチングガスが,エッチする試料と排気する毛細管の入口との間の狭いギャップ中で放電する内側プラズマをエッチングに用いた。LIFスペクトルを回転シミュレーションと比較して,プラズマガス温度を~400Kと評価した。LIF法は2種類の材料,Si上に熱成長したSiO2とSi上にスピンコートしたポリイミドイソインドロキナゾリンジオン(PIQ)膜のエッチング終点検出に適用した。終点は,PIQ/Siの場合,Si基板のエッチングで生じるSiF2の発生から検出した。エッチング中,Si基板からのSiF2の信号強度はSiO2層からのものより7倍高く,そのため,SiO2エッチングの終点はSiF2信号が急速に増大することから検出された。毛細管の中心におけるPIQとSiO2のエッチ速度は各々1.9μm/分,1.66μm/分と決定した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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