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J-GLOBAL ID：201502214018396440   整理番号：15A1132536

酸素反応性イオンエッチングによる線幅45nm光硬化樹脂パターンの残膜除去

著者 (4件)： 上原卓也 (東北大 多元物質科研) ,  久保祥一 (東北大 多元物質科研) ,  廣芝伸哉 (東北大 多元物質科研) ,  中川勝 (東北大 多元物質科研)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 64  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3O02  発行年： 2015年08月25日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  ウエハ【IC】 ,  酸素 ,  *RIE【エッチング】 ,  ナノメータ加工 ,  *幅 ,  *押付成形 ,  *パターン形成 ,  残留物 ,  *除去 ,  光重合型樹脂 ,  加工条件 ,  流量 ,  圧力 ,  電源装置 ,  出力 ,  酸素流量 ,  *線幅 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *ナノインプリント ,  *光ナノインプリントリソグラフィー ,  高周波電源 ,  *反応性イオンエッチング

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化,還元  (CF02060T) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  特殊成形  (WC04040W) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸素 ,  反応性イオンエッチング ,  線幅 ,  光硬化樹脂