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J-GLOBAL ID：201502214199736450   整理番号：15A1026765

窒素ドープ単層カーボンナノチューブ合成のためのアンモニアガスによる脱フッ素支援のナノチューブ置換反応

Defluorination-assisted nanotube-substitution reaction with ammonia gas for synthesis of nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes

著者 (8件)： YOKOYAMA Koji (Graduate School of Environmental Studies, Tohoku Univ., Aoba 6-6-20, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  SATO Yoshinori (Stella Chemifa Corp., 1-41, Rinkai-cho, Izumiotsu, Osaka 595-0075, JPN) ,  HIRANO Kazutaka (Stella Chemifa Corp., 1-41, Rinkai-cho, Izumiotsu, Osaka 595-0075, JPN) ,  OHTA Hiromichi (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., N20W10, Kita, Sapporo 001-0020, JPN) ,  MOTOMIYA Kenichi (Graduate School of Environmental Studies, Tohoku Univ., Aoba 6-6-20, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  TOHJI Kazuyuki (Graduate School of Environmental Studies, Tohoku Univ., Aoba 6-6-20, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  SATO Yoshinori (Graduate School of Environmental Studies, Tohoku Univ., Aoba 6-6-20, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN) ,  SATO Yoshinori (Inst. for Biomedical Sciences, Interdisciplinary Cluster for Cutting Edge Res., Shinshu Univ., Asahi 3-1-1 ...)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 94  ページ： 1052-1060  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300~600°Cの反応温度でフッ素化SWCNTsとアンモニアガスを反応させることによって,窒素ドープ単層カーボンナノチューブ(N-SWCNTs)を合成した。400°Cで合成したN-SWCNTsでは,窒素原子が3.04at%の濃度でナノチューブ枠組みに取り入れられて,ピリジン性とピロール性,黒鉛性,ピリジン-N酸化物型のN化学種種の濃度は,それぞれ1.22とと1.36と0.34と0.08at%であって,全窒素化学種に対する割合は40.1と44.7と11.2と2.6%であった。このN-SWCNTs膜の体積抵抗率は2.3±1.1Ωcmであり,半導体として分類できることを示唆した。このN-SWCNTsの熱起電力は室温の空気中で負であり,n-タイプの伝導を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  ドーピング ,  窒素 ,  アンモニア ,  フッ素化 ,  置換反応 ,  含有量 ,  窒素複素環化合物 ,  化学結合 ,  化学組成 ,  電気伝導率 ,  N型半導体

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  単層カーボンナノチューブ ,  アンモニアガス ,  脱フッ素 ,  支援 ,  ナノチューブ ,  置換反応