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J-GLOBAL ID：201502214465546824   整理番号：15A1379089

SiO₂におけるイオン注入法で合成したInNの構造およびフォノン特性

Structural and phonon properties of InN synthesized by ion implantation in SiO₂

著者 (6件)： GRAINE R. (Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA) ,  GRAINE R. (Centre de Developpement des Technologies Avancees, Unite de Rech. en Photonique et Optique (CDTA,URPO), Setif 19000, DZA) ,  CHEMAM R. (Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA) ,  GASMI F.Z. (Lab. LPR, Dep. de Physique, Fac. des Sciences, Univ. de Annaba, BP 12, Annaba 23000, DZA) ,  MULLER D. (ICube, Univ. de Strasbourg UdS and CNRS (UMR7357), 23 rue du Loess, 67037 Strasbourg, FRA) ,  SCHMERBER G. (Inst. de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 du CNRS, Univ. de Strasbourg UdS-ECPM, 23 ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 595  号： PA  ページ： 108-112  発行年： 2015年11月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入法は,ホスト媒体における化合物半導体ナノ結晶析出物の形成のための有力な手法である。デバイス技術のために量子ドットを作り上げることを目的とする。<111>シリコン上に熱成長した206nm厚のSiO₂層に,インジウム(In)および窒素(N)イオンの高濃度 (5.2×10¹⁶ions/cm²)注入を行った。約100nmの平均深度で重なりあう5~10at.%プロファイルをつくるため,注入エネルギーを12から180keVに選択する。異なるアニーリング時間での500°Cと900°Cの間の熱処理により,InNナノメートル析出物の形成をし,酸化物欠陥を直す。加えて,In₂O₃と金属インジウム相を観測する。すれすれ入射X線回折法,透過型電子顕微鏡法,ラザフォード後方散乱分光法,およびラマン分光法を用いて,それらのサイズ,結晶構造および深度分布をアニーリング温度の関数として調べた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  *イオン注入 ,  ナノ結晶 ,  *析出物 ,  *量子ドット ,  *二酸化ケイ素 ,  基板 ,  ケイ素 ,  インジウム ,  窒素 ,  *熱処理 ,  温度依存性 ,  粒径 ,  深さ分布 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *厚膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  イオン注入法 ,  InN ,  フォノン