窒化物半導体の概要

文献

J-GLOBAL ID：201502214605509460 整理番号：15A0886493

OVERVIEW OF NITRIDE SEMICONDUCTORS

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巻： 9 号： 1-2 ページ： 1-8 発行年： 2015年06月
JST資料番号： W2400A ISSN： 1559-9612 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜 , 半導体の結晶成長

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